| Zeit | Mittwoch 03.02.2021 |
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MBE-Wachstum funktionaler GaN-basierter Heterostrukturen
Sprecher Dr. rer. nat. Stefan SchmultZugehörigkeit Sprecher TU Dresden, IHM, NanoelektronikZeit 16:30 - 18:00Veranstaltungsort OnlineBeschreibung 635. ELEKTROTECHNISCHES KOLLOQUIUM
Aufgrund der 3.4 eV großen Bandlücke und hohen Elektronensättigungsgeschwindigkeit von Galliumnitrid (GaN) sind Bauelemente basierend auf…
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