Polarization in InGaN Quantum Wells
- Datum
- 07.07.2016
- Zeit
- 13:00 - 14:00
- Sprecher
- Ulrich Schwarz
- Zugehörigkeit
- TU Chemnitz, Institute of Physics, Chair of Experimental Sensor Science
- Serie
- TUD nanoSeminar
- Sprache
- en
- Hauptthema
- Materialien
- Andere Themen
- Materialien
- Host
- G. Cuniberti
- Beschreibung
- Light emitting diodes (LEDs) ranging from high-power, high efficiency ones for solid-state lighting to tiny micro-LEDs used for stimulation of nerve cells in the field of optogenetics as well as laser diodes in the violet-blue-green part of the light spectrum have one thing in common: they are based on spontaneous electroluminescence and stimulated light emission in quantum wells made from the semiconductor Indium-Gallium-Nitride (InGaN). Due to their crystal symmetry, all group-III-nitrides (AlN, InN, GaN) and their compounds are ferroelectric, piezoelectric, and optical birefringent. I will discuss these effects and their impact on the physical properties of the above mentioned devices.
Letztmalig verändert: 07.07.2016, 09:43:49
Veranstaltungsort
TUD Materials Science - HAL (115, Hallwachsstr. 3)Hallwachsstraße301069Dresden
- Homepage
- https://navigator.tu-dresden.de/etplan/hal/00
Veranstalter
TUD Institute for Materials ScienceHallwachsstr.301069Dresden
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